產(chǎn)品簡介
NE-RE08是一款干法等離子去膠設(shè)備,適用于4/6/8英寸晶圓光刻膠去除和灰化工藝。設(shè)備采用高密度RIE等離子體刻蝕系統(tǒng),具有去膠速率快、均勻性好、選擇比高、不錯的各向異性等性能優(yōu)勢。
產(chǎn)品特點(diǎn):1、設(shè)備采用RIE反應(yīng)離子刻蝕模式,去膠速率快。2、全面積工藝氣體入口噴淋頭,徑向(軸對稱)抽氣結(jié)構(gòu),確保能提升工藝均勻性和速率。3、水冷電極冷卻系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)襯底溫度控制。4、直開式設(shè)計(jì)方便快速裝卸圓。
主要用途:1、用于8寸及以下的晶圓(SOI、SI、玻璃、銅片等其他半導(dǎo)體材料)正性及負(fù)性光刻膠去膠。2、聚酰亞胺光刻膠(PI)去膠。3、有機(jī)物去除。4、光刻工藝后,PR Descum 打底膜工藝
5、基片表面等離子活化(02\Ar)
產(chǎn)品參數(shù)
型號 | NE-RE08 |
等離子發(fā)生器 | 13.56MHz/600W |
工作臺尺寸 | Φ300mm(11.8inch) |
適用晶片尺寸 | 8寸及以下 |
刻蝕模式 | RIE |
均勻性 | ± 5% |
反應(yīng)氣體 | 標(biāo)準(zhǔn)配置2路,最大可配置4路。 O2、Ar、N2,CF4,Cl2等氣體 |
電極冷卻方式 | 水冷 |
氣體流量控制 | 0-500sccm |
外形尺寸 | W1100×D1100×H1650(mm) |
電源 | AC220V,50/60Hz |
應(yīng)用案例
等離子技術(shù)
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