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低溫等離子體產生的產物包括大量的活性粒子，這些活性粒子的種類比一般化學反應產生的粒子活性更強且類型更多，使得低溫等離子體與材料表面接觸時更加快捷。同時它還具有低成本、無污染、不會損傷材料基質等優(yōu)點，因此可以通過低溫等離子體對材料進行表面改性，這是低溫等離子體最廣泛的用途之一，具體包括等離子體表面刻蝕、等離子體表面清洗等。

等離子體刻蝕

等離子體表面刻蝕的原理是將曝光后的掩膜放在基體表面，腔室通電后，氣體發(fā)生電離等連環(huán)反應，等離子體中的高能離子轟擊材料表面進行刻蝕。根據蝕刻技術的不同，等離子體蝕刻技術可以分為三類：純物理性質的沖 擊蝕刻、純物理化學反應的沖擊蝕刻和物理化學反應的沖擊蝕刻。等離子體刻蝕不僅具有選擇性，即在刻蝕過程中能夠去除材料表面的材料而不會影響刻蝕溝槽側壁的材料；還具有各向異性，即活性粒子在等離子體電場的影響下具有方向性，能夠沿著刻蝕溝槽的深度方向繼續(xù)刻蝕。通常情況下，刻蝕的材料不同，選擇的刻蝕氣體也不同，比如，SiCl₄/Cl₂混合氣體可用于刻蝕單晶硅；CF₄/H₂混合氣體可用于刻蝕SiO₂；CF₄/O₂或SF₆/O₂混合氣體可用于刻蝕Si₃N₄。當刻蝕氣體為CF₄/O₂的時候，C原子會和O₂分子反應生成CO₂，消耗了大量的C原子，F的密度增加，從而提高了刻蝕速率。

等離子體清洗

等離子體清洗是通過等離子體中離子、電子、原子、活性基團等活性組分的性質來處理樣品表面，使材料表面的污染物被分解成易揮發(fā)的小分子物質，在使工件表面活性增強的同時達到清潔材料表面的目的。被去除的污染物包括光刻膠、有機物、氧化物、微顆粒污染物等，一般來說，處理的污染物不同，采用的清洗工藝也不同。等離子體清洗具有效率高、成本小等優(yōu)點，被廣泛地應用于電子工業(yè)、太陽能光伏產業(yè)、半導體光電行業(yè)等領域。如，在切片等工序中采用等離子體清洗能夠有效地去除太陽能硅片表面的污漬和多余雜質。材料通過等離子體清洗，能夠延長模具的使用壽命，對于纖維材料還能增強它的表面附著力。

等離子體刻蝕與等離子體清洗的聯系與區(qū)別

低壓等離子體清洗與等離子體刻蝕工藝相似，都是利用等離子體產生的活性粒子，與材料表面發(fā)生反應從而去除材料表面的物質。但對于等離子體清洗技術所需求的離子能量相比于等離子刻蝕工藝低，刻蝕工藝去除的材料是固體材料（如硅基材料等），其利用具有離子轟擊協同作用的化學反應，有效的利用荷能離子來增強刻蝕反應速率，稱為反應離子刻蝕。等離子體清洗實質上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。等離子體刻蝕是一種反應性等離子體工藝。